HBM

SK Hynix annunciato che ha iniziato la produzione su larga scala di DRAM ad alta velocità ‘HBM2E’, solo dieci mesi dopo che la società ha annunciato lo sviluppo di un nuovo prodotto nel mese di agosto dello scorso anno. La memoria HBM2E di SK Hynix supporta una larghezza di banda …

Samsung Electronics ha annunciato oggi il lancio della terza generazione della sua High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), che è stata denominata Flashboltche raggiunge il 16 GB capacità, il doppio di quella della seconda generazione conosciuta come Aquabolt. “Con l’introduzione delle DRAM a più alte prestazioni oggi disponibili, stiamo compiendo un …