Samsung Electronics ha dato coocer che si sta sviluppando la memoria V-NAND 7 ° Generazione con tecnologia di stacking 3D ultra alta. Il primo modello avrà almeno 160 livelli / piani, mentre il resto continuerà a ricerca per l’accatastamento di una maggiore densità. Questo annuncio arriva a pochi giorni dopo la società cinese YMTC annunciato essi sono stati in grado di sviluppare un chip di memoria 3D NAND Flash 128 strati che inizierà la produzione di massa entro la fine del 2020.
Questa tecnologia di stacking 3D di Samsung riceve il nome di Double Stack. Come indica il suo nome, abbiamo a che fare con un design double-stack che crea buchi di elettroni in due momenti diversi, in modo che la corrente passa attraverso il circuito.
Stiamo per quello che conta, e che è quello di fornire i chip di memoria 160 livelli promessa un aumento del 67% la densità rispetto al chip di 96 livelli. Questi livelli possono ancora aumentare facilmente sotto lo stesso design, utilizzando, ad esempio, nuovi processi di produzione o utilizzando chip di memoria del PLC 5 bit per cella. Quest’ultimo esempio è quello che è fatto Kioxiaprecedentemente conosciuto come il Toshiba Memoria.
via: TechPowerUp