Samsung mostra la sua HBM4E per GPU AI da 3,25 TB/s

Tra i più importanti produttori di memorie ce ne sono tre che guidano il mercato: Micron, Samsung e SK Hynix. Questi sono ciò che determinerà il presente e il futuro della memoria DRAM e Flash che utilizza RAM, SSD, schede SD, USB e memoria interna che troviamo praticamente in tutti i dispositivi. Per questo motivo è di grande importanza che i progressi continuino ad avanzare per non rimanere stagnanti, ma anche se ci sono solo 3 aziende, la concorrenza è abbastanza dura da permetterci di vedere miglioramenti significativi. Ora è il turno di SAMSUNGche ha fatto un ulteriore passo avanti e mira a farlo produrre in serie una memoria HBM4E da 3,5 TB/s settima generazione
per l’anno 2027.

Ora che siamo in un’era in cui l’intelligenza artificiale è così importante, la capacità di memoria è molto più importante di così. Con a
quantità maggiore memoria
saremo in grado di allenarci e utilizzare modelli AI con LLM più grande e, in generale, maggiore complessità e risultati. Oltre ad una maggiore capacità, abbiamo bisogno che la memoria abbia un larghezza di banda elevata per accelerare i processi di formazione, inferenza e utilizzo dell’IA.

Samsung rivela che la sua memoria HBM4E raggiungerà i 3,25 TB/s e sarà prodotta in serie nel 2027

Con la memoria HBM otterremo la grande larghezza di banda di cui abbiamo bisogno e anche la capacità totale sarà migliorata. Questa memoria è destinata alle GPU e sebbene HBM fosse la prima generazione, ne abbiamo già provate molte altre e l’ultima che abbiamo visto è stata la HBM4 a maggio, quando sono state annunciate le sue specifiche e l’aumento di prezzo. Il mese scorso è stato confermato che SK Hynix sarebbe stato il
prima azienda a produrre in serie la memoria HBM4 e questo ha lasciato Micron e Samsung indietro nella corsa alla memoria. Di questi due, è il turno di Samsung Electronics, poiché ora abbiamo un’esclusiva di Jukan in X che rivela che questa azienda prevede di produrre in serie la memoria HBM4E entro il 2027.

Questa memoria HBME4E è superiore alla HBM4 di SK Hynix e Samsung si aspetta che la raggiunga Larghezza di banda di 3,25 TB/s, 2,5 volte superiore alla memoria HBM3E della generazione passata. L’azienda sudcoreana ha rivelato che il suo obiettivo è raggiungere almeno una velocità di spillo 13 Gbps e qui parliamo di 2048 pin I/O, che danno origine a quei 3,25 TB/s citati.

SK Hynix e Micron competono già con Samsung nell’HBM4, ma il sudcoreano è in vantaggio con l’HBM4E

Questa non è la prima volta che Samsung Electronics parla di memoria HBME4E, poiché alla precedente conferenza ISSCC tenutasi a San Francisco nel gennaio 2025, la società ha affermato che il suo obiettivo con
HBM4 doveva aumentare la larghezza di banda da 8 Gbps a 10 Gbps. NVIDIA ha richiesto per i suoi un incremento superiore a 10 Gbps GPUVera Rubin per l’intelligenza artificiale ed è allora che Samsung ha annunciato che sarebbe andato avanti 11 GbpsMa SK Hynix lui la eguagliava. Questo è rimasto Micron con il dubbio che possa essere in grado di competere a quel livello, anche se ha recentemente confermato che consegnerà campioni a 11 Gbps anche a NVIDIA.

Ciò supererebbe di gran lunga le specifiche ufficiali JEDEC di 8 Gbps e 2 TB/s. Allo stesso modo con HBM4E erano necessari 10 Gbps e qui abbiamo il 30% da Samsung. Oltre ad un notevole aumento della larghezza di banda, il l’efficienza energetica è più che raddoppiata rispetto a 3,9 picojoule (pJ) per bit di HBM3E. D’altronde durante questo evento Samsung ha annunciato anche altre novità interessanti. Avremmo così il suo prossimo ricordo LPDDR6 con 10,7 Gbps per pin e 114,1 GB/s oltre a un miglioramento dell’efficienza del 20% rispetto a LPDDR5X. Un’altra novità è che il processo 2nmSF2 è già pronto e la sua produzione in serie inizierà alla fine del 2025. Infine ha parlato della sua collaborazione con Rebellions e della creazione del suo CPU ribelle con un processore che utilizza SF2 di Samsung e SF4X da 4 nm per la NPU.