Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro: diagrammi utilizzando Samsung HPB

Nuovi diagrammi trapelano dalla Cina
Si concentrano ancora una volta su un problema con cui l’industria della telefonia mobile si confronta da anni e che nel 2026 non potrà più essere ignorato: la temperatura. In questa occasione, gli schemi meccanici del Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro Rivelano qualcosa di più delle semplici misure di incapsulamento, che sono molto buone, ma di scarsa rilevanza, e d’altro canto ora indicano qualcos’altro: la
integrazione della tecnologia Samsung HPB (Heat Path Block). come soluzione termica per i telefoni cellulari TOP di quest’anno 2026, in particolare, con questo Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro.

Già settimane fa avevamo analizzato cosa fosse HPB e perché Samsung lo posizionasse come un’evoluzione necessaria rispetto al classico PoP nel settore dei SoC, quindi daremo per scontato quello di cui parlavamo allora e ricorderemo solo che si parlava di 5 GHz per il nuovo SoC di Qualcomm. Ciò che hanno proposto i coreani è davvero così rivoluzionario e gli americani aderiranno? Ebbene sembra di sì, e sono molto seri.

Qualcomm utilizzerà l’HPB di Samsung nel nuovo Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro secondo gli ultimi diagrammi trapelati

L’approccio è semplice nel concetto, ma complesso nell’esecuzione. Gli attuali SoC mobili impilano la memoria LPDDR direttamente sul chip, una soluzione poco ingombrante, ma pessima dal punto di vista termico. Il calore generato da CPU, GPU e NPU è intrappolato sotto la DRAM, costringendo a ridurre le frequenze molto prima che il silicio raggiunga il suo limite reale, riducendo le prestazioni complessive.

Questo è proprio ciò che HPB intende correggere, e i diagrammi trapelati si adattano a questo approccio senza bisogno di interpretazioni forzate. Nei diagrammi si può vedere che il la memoria è ancora impilata sopra il SoCquindi non siamo di fronte ad un cambiamento nell’architettura della memoria. Non esiste HBM o interposer o qualcosa di simile, segue, più o meno, il progetto comune che portiamo avanti da anni.

Cioè, tecnicamente parlando, il design è ancora PoP (Package on Package), ma con una differenza fondamentale: al centro dell’incapsulamento un definito accumulo di calorecon altezza specifica (0,435 ± 0,030 mm), dimensioni specifiche e posizione perfettamente allineata con la zona calda dello stampo.

In un PoP tradizionale, questo blocco termico agisce in modo secondario, poiché la DRAM ostacola il calore, quindi, usando un po’ la logica più semplice, Qualcomm sposterà l’attenzione esattamente su ciò che Samsung ha proposto.

Samsung e Qualcomm definiscono il modulo di raffreddamento come Heat Slug

Nell’approccio HPB, quel residuo di calore diventa il
canale prioritario di evacuazione termicacreando un percorso diretto dal die del processore (AP nelle immagini esplicative di HPB) all’esterno del package. Non è una parte aggiuntiva visibile o un nuovo blocco funzionale, ma a
riorganizzazione interna dell’incapsulamento che elimina il principale collo di bottiglia termico del progetto attuale.

Questo spiega perché HPB non è etichettato come tale nel diagramma. I piani trapelati sono viste dall’alto e dal basso, disegni meccanici e di contorno destinati alla produzione e all’integrazione, non per mostrare le sezioni interne. Semplificando ciò che vedi nel diagramma, HPB vive tra gli strati, nel modo in cui il die, i materiali e il blocco termico sono allineati, non in un rettangolo facilmente identificabile.

Per questo motivo Samsung ha già parlato pubblicamente di riduzioni della resistenza termica fino al 16% con HPB. Ciò non implica una maggiore potenza di picco o parametri di riferimento migliori, ma Meno throttling e maggiori prestazioni sostenuteproprio ciò che oggi limita i telefoni di punta quando CPU, GPU e AI funzionano contemporaneamente. Ciò, in termini di prestazioni, implica che quando la temperatura aumenta, le prestazioni non vengono perse.

Se Qualcomm adotta, come tutto indica, nei confronti di HPB nello Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, il messaggio è evidente per questo 2026, dove il vero salto non è più nello spremere il silicio basato su una migliore architettura, più tensione e frequenza, ma nel consentirgli di funzionare stabilmente più a lungo grazie ad HPB. Vedremo tra poco quanto corrisponde alle migliorie e quanto a questo nuovo sistema di miglioramento termico.