Samsung ha problemi con il passaggio ai chip a 3 nm

Samsung Foundry è la seconda fonderia più grande al mondo, dopo il gigante TSMC. Oltre a realizzare i chip Exynos che progetta autonomamente, Samsung produce chip basati su progetti di terze parti, come Qualcomm.

A febbraio, sono circolate notizie secondo cui le prestazioni di Samsung sul suo nodo di processo a 4 nm erano solo del 35%. Ciò significa che solo il 35% dei chip tagliati da un wafer supera il controllo di qualità, rispetto al 70% ottenuto da TSMC nella produzione dello Snapdragon 8 Gen 1.

Secondo Businesspost.kr, Samsung potrebbe trovarsi di fronte problemi nel suo nuovo processo di produzione a 3 nm che potrebbero influire sulla sua capacità di produrre in serie chip. La resa di produzione del chip da 3 nm di Samsung sarebbe scesa a a Intervallo del 10-20%.

Questa scarsa prestazione potrebbe influenzare la produzione di chip in futuro. Si ritiene che la prima serie di chip a 3 nm di Samsung verrà utilizzata per i propri chip Exynos, probabilmente il successore dell’Exynos 2200.

Oltre a passare da 4nm a 3nm, Samsung è anche il primo ad utilizzare GAAFET (Gate tutt’intorno a FET), invece del design FINFET (Fin FET). GAAFET è un nuovo design di transistor necessario per scendere al di sotto della soglia di 3 nm, poiché FINFET ha limitazioni fisiche che lo rendono inadatto.

Il passaggio a GAAFET potrebbe aver contribuito ai problemi di Samsung, poiché il nuovo design richiede un approccio diverso. Intel ha cercato di utilizzare GAAFET con i suoi processori a 7 nm prima di posticipare il passaggio a causa di problemi simili che Samsung dovrebbe affrontare.

È interessante notare che TSMC ha deciso di non adottare GAAFET per i suoi semiconduttori a 3 nm, sperando di passare a 2 nm per implementare il nuovo design del transistor.

TSMC e Samsung avranno presto un nuovo sfidante, poiché Intel ha affermato che mira a conquistare la leadership di processo nel settore entro la fine del 2024.